这个型号有哪些关键参数可以直接核对?
当前可直接核对的高置信度结构化数据包括:反向重复峰值电压 VRRM: 2000 V;平均整流电流 IF: 1 A;正向压降 VF: 1.05 V;结温 Tj: -50 / 150 °C;热阻 Rth: 95 °C/W。
General Purpose Silicon Rectifier
普通整流二极管 · SMAW 封装
| 反向重复峰值电压 VRRM | 2000 V |
|---|---|
| 平均整流电流 IF | 1 A |
| 正向压降 VF | 1.05 V |
| 结温 Tj | -50 / 150 °C |
| 热阻 Rth | 95 °C/W |
参数来自对应润洪原始规格书;存在多测试条件或低置信度映射的字段不在此静态摘要中展开,最终选型请以PDF及项目验证为准。
精确型号:RHM520W1
当前可直接核对的高置信度结构化数据包括:反向重复峰值电压 VRRM: 2000 V;平均整流电流 IF: 1 A;正向压降 VF: 1.05 V;结温 Tj: -50 / 150 °C;热阻 Rth: 95 °C/W。
不属于。SMAW 在润洪产品体系中属于常规封装平台;SMAW 与 LTB 会与 SMHL、SMHM、SMHS 顶部散热二极管平台明确区分,避免将全部产品误表述为顶部散热。
不能。还应核对电流、正向压降、浪涌、结温和热路径;如果该位置存在高频换相,还需要重新评估是否应采用恢复型器件。
不可以。网页用于检索和比较;测试条件、浪涌数据、曲线、多工况参数以及最终项目适用性仍以对应润洪原始 PDF 和项目验证为准。
封装技术平台:SMAW 小型化高耐压整流平台(SMAW Compact High-Voltage Rectification Platform)。SMAW 采用海鸥脚结构,扩大引脚间距,面向 2000–4000 V 高压整流应用;散热点与发热源位置不重叠,有利于热性能改善,同时降低成型应力并保持 SMA 焊盘兼容性。SMAW 不作为顶部散热封装表达。