这个型号有哪些关键参数可以直接核对?
当前可直接核对的高置信度结构化数据包括:正向压降 VF: 0.9 V @ IF = 10 mA;结温 Tj: -55–150 °C;热阻 Rth: 340 °C/W (RθJA);耗散功率 PD: 500 mW。
Silicon Planar Zener Diodes
硅平面稳压二极管 · SOD-123 封装
| 正向压降 VF | 0.9 V @ IF = 10 mA |
|---|---|
| 结温 Tj | -55–150 °C |
| 热阻 Rth | 340 °C/W (RθJA) |
参数来自对应润洪原始规格书;存在多测试条件或低置信度映射的字段不在此静态摘要中展开,最终选型请以PDF及项目验证为准。
精确型号:RH1Z2V0W / RH1Z75W / RH1Z2V2W / RH1Z2V4W / RH1Z2V7W / RH1Z3V0W / RH1Z3V3W / RH1Z3V6W / RH1Z3V9W / RH1Z4V3W / RH1Z4V7W / RH1Z5V1W / RH1Z5V6W / RH1Z6V2W / RH1Z6V8W / RH1Z7V5W / RH1Z8V2W / RH1Z9V1W / RH1Z10W / RH1Z11W / RH1Z12W / RH1Z13W / RH1Z15W / RH1Z16W / RH1Z18W / RH1Z20W / RH1Z22W / RH1Z24W / RH1Z27W / RH1Z30W / RH1Z33W / RH1Z36W / RH1Z39W / RH1Z43W / RH1Z47W / RH1Z51W / RH1Z56W / RH1Z62W / RH1Z68W
当前可直接核对的高置信度结构化数据包括:正向压降 VF: 0.9 V @ IF = 10 mA;结温 Tj: -55–150 °C;热阻 Rth: 340 °C/W (RθJA);耗散功率 PD: 500 mW。
RH1Z2V0W / RH1Z75W / RH1Z2V2W / RH1Z2V4W / RH1Z2V7W / RH1Z3V0W / RH1Z3V3W / RH1Z3V6W / RH1Z3V9W / RH1Z4V3W / RH1Z4V7W / RH1Z5V1W / RH1Z5V6W / RH1Z6V2W / RH1Z6V8W / RH1Z7V5W / RH1Z8V2W / RH1Z9V1W / RH1Z10W / RH1Z11W / RH1Z12W / RH1Z13W / RH1Z15W / RH1Z16W / RH1Z18W / RH1Z20W / RH1Z22W / RH1Z24W / RH1Z27W / RH1Z30W / RH1Z33W / RH1Z36W / RH1Z39W / RH1Z43W / RH1Z47W / RH1Z51W / RH1Z56W / RH1Z62W / RH1Z68W
不可以。网页用于检索和比较;测试条件、浪涌数据、曲线、多工况参数以及最终项目适用性仍以对应润洪原始 PDF 和项目验证为准。
封装技术平台:其他封装平台(Other Package Platform)。SOD-123 按对应规格书定义封装结构、热路径与电气工作边界。