半桥高边驱动的Bootstrap二极管怎么选？为什么普通整流管会导致驱动掉压、发热甚至UVLO？
Bootstrap二极管每个开关周期都参与充电，并在高边导通时承受快速反向电压。需要同时看反向恢复、结电容、反向耐压、正向压降、充电峰值电流与布局。
· 开发问题排查
先给结论
硬件工程师先判断什么
Bootstrap二极管不是按平均电流随便选一颗整流管。先保证VRRM高于开关节点最大电压及过冲，再选择低Qrr/短Trr、低结电容且能承受Cboot充电峰值的快恢复或肖特基器件；同时把二极管和Cboot尽量贴近驱动器。高频下普通慢恢复二极管可能增加反向恢复损耗和振铃，最终表现成驱动芯片发热、VB-HS掉压或UVLO。
典型现象
- 低频正常，提高开关频率后高边驱动电压下降或驱动器明显升温。
- 半桥切换时VB/HS附近出现振铃，偶发高边UVLO。
- 加大Bootstrap电容后问题反而更明显。
排查顺序
- 测量VB-HS而不是只测VCC，确认高边有效驱动电压是否在整个占空周期内满足要求。
- 核对二极管VRRM是否覆盖DC母线和SW节点过冲。
- 检查Trr/Qrr、结电容与Cboot充电峰值，并观察二极管附近振铃。
- 缩短VCC-二极管-Cboot-驱动器回路，并按驱动器建议评估串联限流电阻。
选型必须核对
- DC母线最高电压
- SW节点过冲
- VRRM
- Trr/Qrr
- 结电容
- VF
- Cboot
- Qg与开关频率
- 峰值充电电流
- 器件布局
Bootstrap二极管面对的是周期性高峰值充电
低边导通时，Bootstrap电容通过二极管补充电荷。充电时间可能很短，因此二极管的瞬时电流远高于用平均门极电流直觉估算的数值。
增大Cboot有助于减小一个高边导通周期内的电压下降，但也可能提高初次和周期性充电冲击，需要结合驱动器输出、限流电阻和二极管能力一起看。
高边导通瞬间二极管必须快速截止
当SW节点快速上升，Bootstrap二极管从正向充电状态进入反向阻断。慢恢复会带来额外反向电流和损耗，并可能激励寄生振铃。
因此高频半桥通常更关注低Qrr、低结电容的快恢复或肖特基方案，同时反向耐压必须覆盖母线和实际过冲。
VB-HS波形比器件标签更能说明问题
调试时建议直接观察VB-HS、高边门极和SW节点，并在最高频率、最大占空比、最高温度和最小VCC条件下验证。
如果VB-HS下降过快，问题可能来自Cboot不足、驱动静态电流、漏电或高边导通时间；如果切换瞬间出现尖峰和发热，则需要重点检查二极管恢复与回路寄生。
工程问答
- Bootstrap二极管平均电流很小，为什么还会发热？
- 因为每周期存在短时高峰值充电，并叠加反向恢复和结电容充放电损耗；高频下平均功耗可以明显增加。
- Bootstrap二极管是不是VF越低越好？
- 低VF有利于提高自举电压和降低充电损耗，但还必须同时满足反向耐压、恢复、结电容和峰值电流。
本文为润洪电子基于公开技术参考与润洪产品资料整理的原创工程知识内容；具体额定值与项目适用性以对应润洪原始PDF和项目验证为准。