同步Buck低侧MOS并联一颗肖特基到底有没有用？为什么额定电流可以不大？

外置肖特基主要负责死区，不是负责整个续流周期

同步Buck正常导通时，低侧MOS应以较低RDS(on)承接电流。只有上下管都关断的死区内，电感电流才会被迫流经体二极管或外置肖特基。

因此外置肖特基的平均导通时间很短，平均功耗和所需平均电流额定值可以明显低于非同步Buck的主续流二极管。

为什么它能改善体二极管相关损耗

肖特基通常具有较低正向压降，并且没有传统PN结的少数载流子存储恢复，因此可以减少死区导通损耗和随后换相时的恢复电流。

但器件的结电容和布局寄生仍会参与开关过程，所以并联肖特基不是无条件提高效率。

位置不对，器件参数再好也可能接管不了电流

死区换相发生得非常快。如果肖特基离低侧MOS较远，新增走线电感会抬高它的动态阻抗，瞬态电流仍可能优先进入MOS体二极管。

验证时应同时看效率、SW负压、尖峰、温升以及高低温变化，而不是只看室温下一个效率数字。

工程问答

为什么并联肖特基可以选比输出电流小很多的额定电流？

因为它通常只在死区短时间导通，平均电流远小于输出电流；但峰值电流仍接近当时的电感电流，必须满足脉冲和热要求。

并联肖特基后一定会提高效率吗？

不一定。低死区、优秀MOS体二极管或高结电容肖特基时，收益可能很小甚至被附加电容损耗抵消。应以实测波形和效率判断。