电机H桥死区里MOS体二极管反复导通，什么时候值得加外置肖特基或快恢复二极管？
H桥换相时，电机电流在死区内必须寻找续流路径。体二极管导通压降、反向恢复和死区长度会共同影响MOS温升、节点负压、开通尖峰和EMI。
· 开发问题排查
先给结论
硬件工程师先判断什么
先测死区内真正发生了什么。如果相节点在死区长期被体二极管钳位、MOS温升高，或下一只MOS开通时出现明显恢复电流尖峰，可以评估外置低VF肖特基或合适的快恢复器件。但它必须靠近MOS功率回路，并核对峰值相电流、VRRM、结电容和脉冲热；如果死区已经很短且MOS体二极管性能足够，外置二极管的收益可能很小。
典型现象
- 相节点在每个PWM周期死区出现较深的负压或高于母线的钳位波形。
- 提高PWM频率后桥臂MOS温升明显上升，即使RDS(on)损耗计算并不高。
- 对侧MOS开通时出现短促的大电流尖峰，并伴随EMI或过冲。
排查顺序
- 同时测相节点、上下管VGS和相电流，量出真实死区与体二极管导通时间。
- 确认尖峰是否发生在此前导通的体二极管由正向续流转为反向阻断的瞬间。
- 对比加外置二极管前后的节点负压、开通尖峰、效率和MOS温升。
- 检查外置二极管与MOS之间的回路面积，避免布局寄生使电流仍优先进入体二极管。
选型必须核对
- 母线电压
- 峰值相电流
- 死区时间
- VF
- VRRM
- Qrr/Trr
- 结电容
- 脉冲电流能力
- 重复结温
- 功率回路布局
死区内电感电流不会消失，只会改走另一条路径
电机绕组是电感性负载。桥臂换相时上下MOS都关断，电流仍要连续，因此会进入MOS体二极管或外置续流器件。
死区越长，体二极管导通损耗越明显；但死区过短又可能产生直通风险，所以优化必须结合驱动传播延迟和实际波形。
下一只MOS开通时，前一只体二极管的恢复可能变成额外电流
如果体二极管经历了明显正向导通，在换相到反向偏置时会涉及恢复过程。恢复电流会叠加到开通MOS的瞬时电流，并与母线和PCB寄生产生过冲与振铃。
外置肖特基可以通过更低VF在死区优先承接部分电流，从而减少体二极管参与，但收益取决于布局、死区和器件电容。
不要用额定平均电流代替死区脉冲评估
外置二极管平均占空很小，但死区内的峰值电流接近当时的相电流。因此应同时核对脉冲电流、重复结温和封装散热。
对于高母线电压，肖特基可选耐压范围和漏电会成为限制，可能需要在低VF、恢复和耐压之间重新折中。
工程问答
- 外置肖特基额定电流可以比电机相电流小吗？
- 平均电流可以明显更小，因为只在死区导通；但瞬时峰值仍可能接近相电流，所以脉冲能力和热循环必须满足。
- 只要加了肖特基就能消除体二极管恢复吗？
- 不能保证。布局电感、肖特基VF、结电容和死区都会决定瞬态电流如何分配，必须用波形确认。
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